Александр Латышев. Последние новости на сегодня

Александр Васильевич Латышев (род. 4 января 1959 год) — российский учёный, специалист в области синтеза пленочных и наноразмерных полупроводниковых структур из молекулярных пучков, полупроводниковых нанотехнологий для нового поколения элементной базы наноэлектроники и структурной диагностики низкоразмерных систем, доктор физико-математических наук, академик (2016), директор Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН (с 2013 год), заведующий лабораторией нанодиагностики и нанолитографии (с 1998 год).

Образование:

Окончил Новосибирский государственный университет.

Научные интересы:

Основным направлением научной деятельности Латышева А. В. является изучение механизмов атомных процессов на поверхности и границах раздела при формировании полупроводниковых систем пониженной размерности для нового поколения элементной базы микро- и наноэлектроники. Результаты его работ создают основу современного электронного материаловедения.

Латышевым А. В. с сотрудниками ведутся работы по совершенствованию имеющихся и созданию новых методов нанолитографии, в частности, в руководимой им лаборатории методами высокоразрешающей электронно-лучевой литографии получены структуры с размерами до 10 нм, в которых наблюдались квантовые явления при переносе заряда. Особые успехи были получены в работах по развитию методов нанолитографии с применением сканирующих зондовых микроскопов.

Под руководством Латышева А. В. в ИФП СО РАН проводятся многочисленные исследования по диагностике полупроводниковых материалов и приборов микро и наноэлектроники методами высокоразрешающей, сканирующей, отражательной электронной микроскопии, а также сканирующей зондовой микроскопии на основе атомно-силового микроскопа.

Научные достижения:

Наиболее значительным результатом работ Латышева А. В. явилось создание уникальной системы сверхвысоковакуумной отражательной электронной микроскопии для in situ характеризации атомных процессов при:

молекулярно-лучевой эпитаксии
твердофазных реакциях
взаимодействии газов с поверхностью монокристаллического кремния.

Латышевым А. В. выполнен цикл пионерских работ по изучению структурных перестроек на поверхностях кремния, которые внесли принципиально новое понимание в физику формирования субмонослойных покрытий. Впервые был теоретически обоснован и экспериментально открыт эффект электромиграции адсорбированных атомов кремния, который вызывает перераспределение элементарных атомных ступеней на поверхности кремния. Впервые:

установлено влияние поверхностных фазовых переходов на кластерирование моноатомных ступеней на поверхности кремния
установлена структура высокотемпературной поверхности кремния
обнаружено аномальное движение ступеней при сверхструктурном переходе.

Полученные результаты использованы для разработки и совершенствования технологии молекулярно-лучевой эпитаксии и дают пути создания новых приборов полупроводниковой наноэлектроники на основе обнаруженных эффектов самоорганизации на поверхности кремния.