Микроэлектроника не сдает позиций

Микроскопический шаг для электроники, но огромный шаг для всего человечества – так можно охарактеризовать новое открытие международной научной группы, которое позволит сделать современную электронику еще компактнее. Ученые смогли еще больше сократить толщину медных проводников на печатных схемах, а также расстояние между ними. Причиной прорыва стала ранее не известная химическая реакция между медью и кремнием.

Более 40 лет электронная отрасль придерживается постоянного курса – любое изделие должно становиться все компактнее, а его производительность – выше. Однако уже многие годы ведутся разговоры о том, что в ближайшее время будет достигнут технологический предел миниатюризации, преодолеть который промышленность не сможет.

Столько же, сколько звучат подобные предположения, ведутся и научные исследования, призванные преодолеть этот барьер и не допустить стагнации микроэлектронного производства. Ведущие институты мира объединяются, чтобы разрешить назревающую проблему.

Читайте также "Сверхплотная компьютерная память заменит флешки"

Результата, полученного группой американских и французских ученых, удалось достичь благодаря малоизученным химическим реакциям, протекающим на границе электрического проводника и подложки печатной платы, созданных из специальных материалов.

Исследователи поместили проводник из комбинированных меди и марганца на подложку из диоксида кремния, после чего подвергли получившийся "бутерброд" часовой термической обработке при температуре 420 градусов Цельсия. Оказалось, что на границе материалов образовался новый двойной диэлектрический слой из оксида марганца и минерала родонита (полисиликата марганца).

Оба полученных вещества являются низко-k-диэлектриками, то есть обладают коэффициентом диэлектрической проницаемости меньше 2. Такие материалы необходимы для развития многослойной интегральной электроники, но их создание в настоящее время затруднено из-за высокой стоимости производственного процесса.

Смотрите фоторепортажи в разделе "Наука и история"

С новинкой картина принципиально меняется – дешевый способ производства низко-k-диэлектриков открывает дорогу новым устройствам, в которых скорость передачи электрического тока значительно возрастает.

Кроме того, свойства новых материалов позволяют располагать компоненты электрических схем гораздо ближе друг к другу, не опасаясь их взаимного фонового воздействия.

"Правда.Ру" поинтересовалась у российских ученых о том, какой они видят перспективу низко-k-электроники в свете последнего открытия.

Владимир Казаков, Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики: "Прогресс микро- и наноэлектроники рано или поздно приведет к тому, что две эти области максимально сблизятся друг с другом. В таких условиях станет гораздо проще конструировать устройства, сочетающие возможности обоих направлений".

Степан Мирошкин, Московский физико-технический институт: "Полученный результат – еще не предел для развития. По крайней мере до тех пор, пока не будет строго доказано обратное. Поэтому мне кажется, что самое интересное у микроэлектроники еще впереди".

Анатолий Романюк, Московский государственный технический университет им. Н.Э. Баумана: "Микроэлектроника еще долгие годы, а может быть, и десятилетия будет оставаться ближе к конечному пользователю, чем нанотехнологии. И тот факт, что открытие позволяет модернизировать современное производство без капитальных вложений, благотворно отразится на всей индустрии. Производителю будет гораздо проще внедрять новые модели, а покупатели получат актуальные компактные и полезные изделия".

Читайте также на "Правде.Ру"