Революционный материал для памяти от российских ученых

Физики из Курчатовского института разработали новый магнитный материал на основе графена, который может стать основой для будущих технологий хранения, обработки и передачи информации, включая компьютерную память. Об этом сообщили в пресс-службе Курчатовского института.

Современная кремниевая электроника достигла своего предела. Спиновая электроника, основанная на управлении магнитным моментом электрона, предлагает более энергоэффективную альтернативу. Для её развития необходимы новые магнитные материалы, и такой материал был создан.

Новый материал сочетает в себе двумерный магнит и графен, интегрированные в кремниевую технологию. В качестве магнита используется атомарно тонкая решетка из гадолиния, которая придаёт материалу магнитные свойства. Графен обеспечивает электронный перенос. Эта структура может стать основой для устройств спиновой электроники.

Руководитель проекта Дмитрий Аверьянов пояснил, что их команда развивает направление спинтроники на основе субмонослойных магнитов, представляющих собой разреженные решётки магнитных атомов. Они продемонстрировали возможность создания структур графен/субмонослойный магнит на поверхности кремния, что придаёт графену магнитные свойства. Аверьянов также отметил, что материалы на основе графена перспективны для создания новых технологий хранения и обработки информации. Команда планирует синтезировать различные материалы с варьирующимся составом, которые могут быть использованы для создания спинтронных устройств, логических элементов и компьютерной памяти.