Рекордный транзистор со свойствами мемристора не требует постоянного питания в устройствах 6G

Учёные разработали уникальный МОП-транзистор на основе гексагонального нитрида бора (hBN). Об изобретении рассказали в Автономном университете Барселоны (UAB).

Максимальная рабочая частота новинки достигает умопомрачительных 120 ГГц, что вдвое больше, чем у её кремниевых собратьев для 6G.

Но и это не главное. hBN обладает мемристивными свойствами, то есть запоминает состояние после снятия с него потенциала. Таким образом, этот полупроводниковый прибор требует подачи питания только в момент переключения, что даёт экономию энергии, в диапазоне 6G — весьма существенную.

В Департаменте телекоммуникаций и системной инженерии UAB испытали транзистор, сообщил исследователь Жорди Верду.

"Впервые нам удалось продемонстрировать работу коммутатора на основе hBN, энергонезависимого материала, в диапазоне частот до 120 ГГц, что предполагает возможность использования этой технологии в новых системах массовой коммуникации 6G, где потребуется очень большое количество таких элементов", — рассказал он.

Лабораторне прототипы коммутатора на новых элементах показали их стабильную работу — транзисторы выдержали около 2000 циклов на частотах до 260 ГГц без заметного ухудшения характеристик, тогда как предшественникам хватало всего 30, чтобы прийти в негодность.