В Китае научились делать устойчивый в суровых условиях композит из полых микросфер для поглощения микроволн

Бурное развитие электронных информационных технологий в их военных применениях требует надёжной электромагнитной защиты и маскировки, для чего служат материалы, способные к поглощению микроволн. Проблема в том, что они недостаточно устойчивы к суровым условиям открытой местности.

Более-менее стабильные параметры вне зависимости от влажности или температуры обеспечивают углерод и карбид кремния. Но каждый из них не лишён недостатков с точки зрения эффективности поглощения и диапазона частот, в котором оно возможно, а их комбинация в обычный композит этих проблем не решает.

Учёные под руководством Юн-Чен Ду из Харбинского технологического института подвергли высокотемпературному пиролизу фенольную смолу и диоксид кремния и получили полые микросферы карбида кремния /углерода (SiC/C). О результатах своей работы они рассказали в журнале Nano-Micro Letters, сообщает пресс-центр Шанхайского университета Цзяо Тонг.

Синергический эффект состава и структуры SiC/C позволил добиться выдающихся характеристик поглощения волн, превосходящих аналоги: потери на отражение до -60,8 дБ, полоса поглощаемых частот более 5,1 ГГц.

По словам Ду, материал обеспечивает превосходную радиолокационную скрытность в различных суровых природных средах, что подтверждается температурными испытаниями и обработкой кислотами и щелочами.