Российские физики придумали графеновую нано-флешку

Фото: Фото: REX

В сибирском Институте физики полупроводников имени А. В. Ржанова изобретена флешка, память которой основана на использовании мультиграфена. Технология позволяет в разы превзойти эффективность современных аналогов.

 Графен материал, который состоит из атомов углерода, образующих кристаллическую решетку слоем в один атом.

Принцип работы новой флешки основан на впрыскивании и хранении электрического заряда в запоминающей среде — мультиграфене (создается с помощью объединения нескольких слоев графена). Необходимыми компонентами такой флеш-памяти являются туннельный и блокирующий слои. Первый изготавливается из оксида кремния, второй, как правило, из диэлектрика с высоким значением диэлектрической проницаемости.

Эффективность флеш-памяти во многом зависит от величины работы выхода запоминающей среды — энергии, которая тратится на удаление электрона из вещества. Мультиграфен, "зажатый" между туннельным и блокирующим оксидами, представляет собой глубокую потенциальную яму, куда заряд скидывается и где потом долго хранится. Это дает возможность оптимизировать геометрию флеш-памяти.

Однако, у такой конструкции флешки есть ряд изъянов. Например, более толстые туннельный и блокирующий слои, используемые в данной технологии, неизбежно приводят к уменьшению быстродействия.

О запуске производства таких флешек речь пока не идет.

Читайте последние новости Pravda.Ru на сегодня