Нобелевский лауреат Жорес Алферов побывал на северодвинском Севмаше

Сегодня ФГУП “ПО “Севмашпредприятие” (Северодвинск, Архангельская область) посетил лауреат Нобелевской премии, известный российский ученый-физик Жорес Иванович Алферов. Он встретился с и.о. генерального директора Эдуардом Борисовым, главным инженером Юрием Кондрашовым, посетил музей завода, стапельный цех, набережную.

Ученый с мировым именем о Севмаше знает не понаслышке. В конце 50-х годов прошлого века Жорес Иванович неоднократно бывал на заводе. “В мае 1958 года Анатолий Петрович Александров предложил создать специальное полупроводниковое устройство для первой советской атомной подводной лодки. Для решения этой задачи нужно было разработать принципиально новую технологию и конструкцию германиевых вентилей, что и было сделано в рекордные сроки”, – пишет Алферов в своей книге.

Командировки в Северодвинск стали для молодого ученого-экспериментатора началом большого пути. Известно, что одну из первых государственных наград Ж.И. Алферов получил как раз за участие в создании АПЛ.

На встрече в музее "Севмаша" Жорес Иванович поделился воспоминаниями о работе в знаменитом 42-м цехе, личной встрече с легендарным директором завода Евгением Павловичем Егоровым, традициях молодого города корабелов. Немало интересовался и сегодняшним днем предприятия: вопросами технического перевооружения, интеграции в мировое судостроение.

“С огромным удовольствием побывал на "Севмаше" после более чем сорокалетнего перерыва, – сообщил Алферов. – Вижу, что предприятие не потеряло былой мощи, сохранило инженерный корпус и сейчас успешно развивается. России по-прежнему нужен атомный подводный флот, и я уверен, что, несмотря на большой объем гражданских заказов, завод должен строить подводные лодки. Желаю предприятию полной загрузки, нового оборудования и как можно больше молодых специалистов”.

Жорес Иванович Алферов (р. 1930) – крупнейший российский ученый в области физики и техники полупроводников, автор более 500 научных работ и более 50 изобретений.

Выпускник факультета электроники Ленинградского электротехнического института им. В. И. Ульянова. Кандидат технических наук (1961), доктор физико-математических наук (1970), профессор (1972), вице-президент РАН. Принимал участие в создании первых советских транзисторов, фотодиодов и мощных германиевых выпрямителей, открыл явление сверхинжекции в гетероструктурах, создал полупроводниковые лазеры на основе двойных гетероструктур.

За высокие достижения Ж.И. Алфёров удостоен почётных званий многих российских и мировых научных центров. Награды и премии: Премия Балантайна института Франклина (США, 1971); Ленинская премия (СССР, 1972); Хьюллет-Паккардовская премия Европейского физического общества, Государственная премия (СССР, 1984); Награда Симпозиума по GaAs (1987); медаль Х. Велькера (1987); Премия А. П. Карпинского, Премия РАН им. А.Ф. Иоффе (1996); Общенациональная неправительственная Демидовская премия (Российская Федерация, 1999), Нобелевская премия по физике (2000).

Награжден орденами Ленина, Октябрьской Революции, Трудового Красного Знамени, “Знак Почёта”, “3a заслуги перед отечеством” III и II степени, медалями СССР и Российской Федерации. Депутат Государственной думы РФ от КПРФ, член Комитета Госдумы по образованию и науке.