Samsung планирует сделать значительный шаг вперед в производстве полупроводников, установив первый инструмент для литографии High-NA EUV. По данным Seoul Economic Daily, установка системы ASML Twinscan EXE:5000 с числовой апертурой 0,55 (NA) запланирована на период с четвертого квартала 2024 года по первый квартал 2025 года на кампусе Samsung в Хвасоне.
Этот передовой инструмент будет использоваться для исследований и разработки технологических процессов следующего поколения. Ожидается, что система Samsung High-NA EUV будет введена в эксплуатацию к середине 2025 года, что даст компании возможность обогнать конкурентов, таких как TSMC и SK hynix. Эта технология имеет ключевое значение для производства чипов с разрешением 8 нм, что значительно превосходит текущие системы Low-NA EUV с разрешением 13 нм.
Кроме того, Samsung развивает комплексную экосистему вокруг этой технологии, сотрудничая с такими компаниями, как Lasertec для проверки масок, JSR для фоторезистов, Tokyo Electron для машин травления и Synopsys для инструментов проектирования.
Стоимость систем High-NA EUV варьируется от 380 до 400 миллионов долларов.