Учёные Национального центра физики и математики разработали метод интеграции мемристоров в процесс производства современных кремниевых чипов, сообщила в понедельник пресс-служба учреждения.
Мемристоры — это особые резисторы, сопротивление которых зависит от пропущенного через них электрического тока.
"Сопротивление мемристора может изменяться в зависимости от прошедшего через него электрического заряда, то есть мемристор "запоминает" количество прошедшего через него заряда и сохраняет эту информацию в виде своего сопротивления. Такие свойства мемристора открывают возможности создания на его основе ячеек долговременной памяти и систем для "вычислений в памяти", причем мемристорные элементы памяти могут быть более компактными и быстрыми, чем элементы современной флэш-памяти", — объясняет академик РАН Игорь Каляев.
В НЦФМ разработана топология микросхем перспективной энергонезависимой памяти RRAM, работающей по этому инновационному принципу. Её параметры впечатляют: размеры элементов — до 10-9 м, время записи данных менее 10-9 с.
"Подход позволяет интегрировать электронные мемристорные устройства, воспроизводящие часть функций нейронов человеческого мозга, в технологический процесс производства чипов в России", — заключается в сообщении.